一、实验目的

1.  了解二极管的主要参数；

2.  掌握二极管的伏安特性及测量方法；

3.  掌握示波器的使用方法。

二、实验仪器

1.  交流电压源

2.  Ground

3.  普通电阻

4.  虚拟二极管

5.  电流探头

6.  泰克示波器TBS1102

三、实验原理

半导体二极管的结构是一个PN结，具有单向导电性。描述二极管电压和电流的关系的曲线，叫做二极管的伏安特性曲线，如图1所示。

图1 二极管的伏安特性曲线

由图1可以看出，二极管的伏安特性可以分为3个部分：

（1）正向特性

图中红色曲线部分为正向特性，表示当外加正向电压时二极管的工作情况。当正向电压很小时，外电场不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零，称为死区。当正向电压超过死区电压（U_th）后，内电场被大大削弱，电流迅速增长，二极管导通。导通后二极管的端电压基本上是一个常量。

（2）反向特性

图中紫色曲线部分为反向特性，表示当外加反向电压时二极管的工作情况。在反向电压的作用下，由于少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流。反向电流在一定范围内与反向电压的大小无关，通常称为反向饱和电流（I_s）。反向饱和电流越小，表明二极管性能越好。

（3）反向击穿特性

当反向电压增大到某一数值时，反向电流突然增大，这种现象称为击穿，此时的电压称为反向击穿电压（U_BR）。反向击穿特性如图1中蓝色曲线部分所示。